액추에이터·솔레노이드 Q&A

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  신동호 (2010-09-27 11:21:04, Hit : 2872
 sol_776.jpg (31.6 KB), Download : 157
 자석과 코일에 대한 질문입니다.


어떤양식으로 질문을 해야 하는지 몰라서 그냥 양식 무시하고 질문을 드립니다..

다름이 아니라.. 제가 코일안에 자석을 위치하는데..구조는 첨부파일 참고바랍니다..

그림에서와 같이 membrane쪽에서 force를 가하지 않았을경우 코일에 대한 L값을 측정합니다.

간단하게 그 L값이 100mH라고 하였을 경우

membrane쪽에 force를 서서히 가하면 L값이 점차 감소 합니다. 99,98,95... 이런식으로 점차 감소를

하는데 자석이 코일내부에서 위치가 변화였을경우 L값이 변하는 원리..이론적인 배경을 설명을 하여

증명을 하고 싶은데.. 어떤방법으로 해야 할지 도저히 감이 안잡히네여.. 도움좀 부탁드리겠습니다.



신동호 (2010-09-27 11:22:00)
그림은 간단하게 표현한 단면도 입니다.
권기태 (2010-09-27 18:11:19)
L = N dΦ/di 입니다.
여기서, N : 코일턴, Φ : 자속, i : 전류 입니다.
수식을 보면 인덕턴스란 전류량 변화에 대한 자속량의 변화량입니다.
같은 조건에서 자속을 어느 정도로 발생 시킬수 있는가 하는 값입니다.

상기 구조는 인던턴스 값의 변화를 사용하는 센서에 사용되는데,
내가 알기로는 내부에 영구자석 대신에 연자성체가 들어가는 것으로 알고 있습니다.
(확실치는 않아 찾아 봐야 할 듯. ^^)
유영민 (2010-09-28 19:50:51)
코일에 전류를 인가 할 경우 발생하는 플런저(연자성체의 경우)의
자속 밀도의 분포와
자석의경우 가우스 분포도를 비교하는 방식은 어떨런지요?
저도 확실한 답변은 아닙니다

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